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Data 9 novembre 2017

TRANSISTOR F.E.T ad EFFETTO di CAMPO

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TRANSISTOR  F.E.T  ad EFFETTO di CAMPO

 

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– per distinguere in un circuito a quale dei due canali un fet appartiene basterà considerare la direzione della freccia del GATE,se rivolta internamente al componente o se invece esternamente.

 

Il transistor,come si sa,è solitamente corredato da tre piedini di utilizzazione chiamati rispettivamente Emettitore-Base-Collettore che corrispondono grosso modo al Catodo-Griglia-Placca di una valvola.

Ma se nei confronti della valvola ,il transistor presenta il vantaggio di dimensioni molto più ridotte,di alimentazione a tensioni molto basse,di mancanza di filamento,tutti indiscutibili vantaggi certamente,esso tuttavia presenta degli svantaggi sui quali non è proprio possibile sorvolare,il primo dei quali è insito nella sua bassa impedenza d’ingresso che,specialmente in quei particolari montaggi nei quali risulterebbe necessaria una alta impedenza,ne limitano notevolmente l’impiego.

Usando un transistor come amplificatore di AF risulta quasi sempre necessaria una presa sulla bobina di sintonia per poter adattare l’impedenza del circuito a quella d’ingresso del transistor,diversamente collegando direttamente la base dello stesso all’estremo della bobina si avrebbe una notevole riduzione del “Q” del circuito quindi scarsa selettività  e riduzione della sensibilità.

Il transistor,per le sue caratteristiche,si presta quindi meglio come amplificatore di corrente che di tensione.

Altri fattori negativi consistono nell’influenzabilità della corrente di collettore dalla tensione applicata al terminale e nella polarizzazione di base con una resistenza che viene a trovarsi collegata alla stessa tensione alla quale risulta applicata la resistenza di carico del collettore.

Come le valvole,il fet  dispone di una elevatissima impedenza d’ingresso,una corrente di collettore praticamente insensibile alla tensione di alimentazione ed infine di una amplificazione non più in corrente ma in tensione. Ancora meglio,date le sue caratteristiche intrinseche ,il fet racchiude in sè tutti i vantaggi che fino a non molto tempo fa erano prerogativa solamente di un ben definito tipo di valvola,i pentodi,che nei confronti del triodo possiedono in più un elevatissimo potere di amplificazione ed un basso rumore di fondo.

 

CARATTERISTICHE DI FUNZIONAMENTO

 

4-66k

 

5-60k

 

6-180k

 

PD

in mW rappresenta la potenza massima dissipabile dal drain alla temperatura ambiente di 25°C senza alcuna aletta di reffreddamento

BV-GDO/BV-DSS

questa colonna indica la tensione massima che può essere applicata al drain del fet,cioè la tensione che può essere presente su tale elettrodo. E’ ovvio che oltrepassare tale valore limite equivalga ad una sicura ,nella maggioranza dei casi,messa fuori d’uso del componente. L’unità di misura usata è il “volt

VGS in volt

questa indicazione rappresenta invece la tensione massima di polarizzazione del gate,vale a dire quella tensione che risulta utile per ridurre la corrente del drain al suo valore minimo di conduzione. L’unità di misura è sempre il “volt

I-DSS max

è la corrente massima che può essere fatta scorrere tra il sourge ed il drain del fet. La conoscenza di questo valore è della massima importanza in quanto permette di evitare che superando tale valore il fet si bruci. Per questo valore l’unità di misura impiegata è il “milliampere

-ISS in pF

questa colonna è riferita alla capacità riscontrabile in entrata tra gate e sourge alla frequenza campione di 1 Megahertz. Questo dato può essere di parecchia utilità  quando si abbia interesse a calcolare un circuito di sintonia di AF onde stabilire la capacità introdotta dal fet,il valore è misurato in picofarad

I-GSS in mA

indica la corrente di fuga. Nei fet questo valore è molto basso,quasi sempre sull’ordine dei nanoampere  che rappresentano l’unità di misura utilizzata per questa indicazione.Prendendo per esempio il fet tipo 2N3819 troveremo,nella colonna corrispondente a questo dato,un valore di 2nA. Faccio notare che il nanoampere è la millesima parte del microampere.

Y-fs

questa colonna sta ad indicare la trasconduttanza del fet e da questo dato possiamo risalire alla amplificazione del circuito nel quale il semiconduttore si trova inserito. La formula per questa importante considerazione è data dal prodotto della transconduttanza ,espressa in millimho,per il valore della resistenza di carico del drain,espressa in kiloohm,secondo il circuito di utilizzazione . Considerando “A” come amplificazione avremo quindi:

AA = (Y-fs)xRdrain

ed il risultato è un numero puro.Risalendo ad esempio al fet tipo 2N3819 che presenta una transconduttanza di 5 millimho,con una resistenza di drain di 15 Kiloohm, avremo una amplificazione di circa 75 volte.

 

 

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